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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryMT53B512M32D2DS-062 AIT:C
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MT53B512M32D2DS-062 AIT:C - Micron Technology Inc.

Hersteller Artikelnummer
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Hersteller
Micron Technology
Allelco Artikelnummer
32D-MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
200-WFBGA
Datenblatt
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11530

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Spezifikation

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C Tech -Spezifikationen
Micron Technology Inc. - MT53B512M32D2DS-062 AIT:C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Micron Technology Inc. - MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Micron Technology  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 1.1V  
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4  
Supplier Device-Gehäuse 200-WFBGA (10x14.5)  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 16Gbit  
Speicherorganisation 512M x 32  
Speicherschnittstelle -  
Speicherformat DRAM  
Uhrfrequenz 1.6 GHz  
Grundproduktnummer MT53B512  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 AIT:C.

Produkteigenschaften MT53B512M32D2DS-062 AIT:C MT53B512M32D2NP-053 WT:C MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A MT53B384M64D4NK-053 WT:B
Artikelnummer MT53B512M32D2DS-062 AIT:C MT53B512M32D2NP-053 WT:C MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A MT53B384M64D4NK-053 WT:B
Hersteller Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Speicherorganisation 512M x 32 512M x 32 384M x 64 384M x 64
Grundproduktnummer MT53B512 MT53B512 MT53B384 MT53B384
Speichergröße 16Gbit 16Gbit 24Gbit 24Gbit
Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC)
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4
Speicherschnittstelle - - - -
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Uhrfrequenz 1.6 GHz 1.866 GHz 1.866 GHz 1.866 GHz
Speicherformat DRAM DRAM DRAM DRAM
Supplier Device-Gehäuse 200-WFBGA (10x14.5) 200-WFBGA (10x14.5) 366-WFBGA (15x15) 366-WFBGA (15x15)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannungsversorgung 1.1V 1.1V 1.1V 1.1V
Serie Automotive, AEC-Q100 - - -
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - - - -
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA 200-WFBGA 366-WFBGA 366-WFBGA
Paket Tray Tray Tray Tray

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C Datenblatt PDF

Laden Sie MT53B512M32D2DS-062 AIT:C PDF -Datenblätter und Micron Technology Inc. -Dokumentation für MT53B512M32D2DS-062 AIT:C - Micron Technology Inc. herunter.

PCN -Verpackung
Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019.pdf Mult Devices 22/Feb/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Nov/2018.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

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